معرفی و شرح عملکرد
IF190A60C یک ماسفت قدرت مبتنی بر فناوری aMOS5 بوده که برای سوئیچینگ سریع و کاهش تلفات هدایت در مدارهای توان توسعه یافته است. این قطعه با ولتاژ شکست 600V و قابلیت عبور جریان پیوسته 20A، گزینهای مناسب برای طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ، مدارهای PFC، مبدلهای Flyback و LLC محسوب میشود. مقاومت روشن پایین 0.19Ω باعث کاهش تولید حرارت و افزایش بازده مدار میشود. همچنین شارژ گیت پایین و پارامترهای سوئیچینگ بهینه، عملکرد مطلوبی از نظر کاهش تداخل الکترومغناطیسی و بهبود پایداری سیستم ایجاد میکنند. محدوده دمای کاری گسترده و ساختار مقاوم دیود داخلی، این قطعه را برای تجهیزات صنعتی، مخابراتی و منابع تغذیه توان متوسط و بالا مناسب کرده است.
مشخصات
نوع قطعه: ماسفت قدرت N-Channel
پکیج: TO-220
ولتاژ کاری Drain-Source: 600V
جریان پیوسته Drain: 20A
مقاومت روشن RDS(on): 0.19Ω در VGS=10V
ولتاژ Gate-Source مجاز: ±20V
ولتاژ آستانه گیت: 4.6V
شارژ گیت: 34nC
ظرفیت ورودی Ciss: 1935pF
توان تلفاتی: 32W
بازه دمای کاری پیوند: -55°C تا 150°C
نوع نصب: Through Hole
فناوری ساخت: aMOS5
کاربردهای رایج
این ماسفت برای مدارهای سوئیچینگ ولتاژ بالا و منابع تغذیه با راندمان مناسب استفاده میشود. سرعت سوئیچینگ مطلوب و مقاومت روشن پایین آن، موجب شده در تجهیزات صنعتی، منابع تغذیه و سیستمهای الکترونیک قدرت کاربرد گستردهای داشته باشد.
منبع تغذیه سوئیچینگ SMPS
مدار اصلاح ضریب توان PFC
مبدل Flyback
مبدل LLC
آداپتورهای توان
منابع تغذیه تلویزیون
درایورهای روشنایی LED
تجهیزات مخابراتی
تجهیزات صنعتی
مبدلهای DC-DC توان بالا
کلمات کلیدی
کلمات کلیدی: IF190A60C, AOT190A60C, AOTF190A60CL, 600V MOSFET, 20A MOSFET, N Channel Power MOSFET, TO-220 MOSFET, aMOS5, High Voltage MOSFET, Power Transistor, Switching MOSFET, Flyback MOSFET, LLC Converter MOSFET, PFC MOSFET, Semiconductor Power Device
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.