ماسفت قدرت N-Channel مدل IPI024N06N3-G پکیج TO-220

معرفی و شرح عملکرد

IPI024N06N3-G یک ترانزیستور MOSFET قدرت کانال N است که با بهره‌گیری از فناوری OptiMOS™ 3 شرکت Infineon، تلفات هدایت و سوئیچینگ را به حداقل می‌رساند. مقاومت روشن بسیار پایین این قطعه باعث کاهش اتلاف توان و افزایش راندمان مدار می‌شود. این ویژگی در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ، یکسوسازهای سنکرون، اینورترهای خورشیدی و درایورهای موتور اهمیت زیادی دارد. توانایی عبور جریان‌های بالا همراه با تحمل دمای کاری تا 175°C، این قطعه را به گزینه‌ای مناسب برای کاربردهای صنعتی و حرفه‌ای تبدیل کرده است. همچنین پارامترهای بهینه گیت و ظرفیت‌های داخلی کنترل‌شده، عملکرد مناسبی را در فرکانس‌های سوئیچینگ بالا فراهم می‌کنند.

مشخصات

نوع قطعه: MOSFET قدرت کانال N

پکیج: TO-220

حداکثر ولتاژ درین به سورس (VDS): 60V

حداکثر جریان درین (ID): 120A

مقاومت روشن درین به سورس RDS(on): 2.4mΩ

توان تلفاتی (Ptot): 250W

ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 2V تا 4V

بار گیت (Qg): 206nC

ظرفیت ورودی (Ciss): 17000pF

حداکثر جریان پالسی درین: 480A

محدوده دمای کاری: -55°C تا +175°C

نوع نصب: Through Hole

سازنده: Infineon Technologies

سری: OptiMOS™ 3

RoHS: بله

کاربردهای رایج

این ماسفت برای مدارهایی طراحی شده است که به جریان بالا، تلفات کم و سوئیچینگ سریع نیاز دارند. مقاومت بسیار پایین در حالت روشن موجب کاهش گرما و افزایش بازده انرژی می‌شود و به همین دلیل در بسیاری از تجهیزات صنعتی و منابع تغذیه مدرن مورد استفاده قرار می‌گیرد.

منابع تغذیه سوئیچینگ SMPS

یکسوساز سنکرون

مبدل‌های DC-DC

کنترل دور موتورهای DC

اینورترهای خورشیدی

منابع تغذیه سرور

شارژرهای صنعتی

سیستم‌های مخابراتی

تجهیزات اتوماسیون صنعتی

مدارهای مدیریت توان

کلمات کلیدی

کلمات کلیدی: IPI024N06N3-G, 024N06N, Infineon MOSFET, OptiMOS 3, N Channel MOSFET, Power MOSFET 60V, TO-220 MOSFET, Low RDSon MOSFET, High Current MOSFET, MOSFET 120A, سوئیچ قدرت, ترانزیستور قدرت, ماسفت اینفینیون, MOSFET صنعتی, High Efficiency MOSFET