ماسفت قدرت 65SL190D نوع N-Channel پکیج TO-220

ماسفت 65SL190D با شماره فنی XP65SL190DI یک ماسفت قدرت کانال N از خانواده XP65SL190D شرکت YAGEO XSEMI است که برای کاربردهای سوئیچینگ توان طراحی شده است. این قطعه با ولتاژ شکست Drain-Source برابر 650V و جریان Drain پیوسته 20A در دمای کیس 25°C، گزینه‌ای مناسب برای بخش‌های ولتاژ بالای مدارهای قدرت محسوب می‌شود. مقاومت Drain-Source در حالت روشن حداکثر 0.19Ω بوده و این مقدار در شرایط VGS برابر 10V و جریان 6.2A مشخص شده است.

ساختار N-Channel و قابلیت سوئیچینگ سریع، استفاده از این ماسفت را در مدارهایی که به کنترل توان با تلفات هدایتی و زمان‌های سوئیچینگ کنترل‌شده نیاز دارند، امکان‌پذیر می‌کند. پکیج TO-220CFM دارای بدنه عایق‌شده است و دیتاشیت برای آن مقاومت حرارتی اتصال به کیس 3.6°C/W را اعلام می‌کند. حداکثر دمای کاری پیوند 150°C است و حداکثر توان تلفاتی در شرایط اتصال به کیس مناسب 34.7W اعلام شده است.

از ویژگی‌های الکتریکی مهم این قطعه می‌توان به شارژ گیت حداکثر 92.8nC، ولتاژ آستانه گیت حداکثر 5V و ولتاژ مجاز Gate-Source برابر ±20V اشاره کرد. همچنین انرژی بهمن تک‌پالس آن 300mJ است که در طراحی مدارهای سوئیچینگ و حفاظت در برابر شرایط گذرای مشخص می‌تواند مورد توجه قرار گیرد.

مشخصات

نوع قطعه: ماسفت قدرت N-Channel

مدل: XP65SL190DI

سری: XP65SL190D

ولتاژ Drain-Source: 650V

جریان Drain پیوسته در TC=25°C: 20A

جریان Drain در TC=100°C: 12.3A

جریان Drain پالسی: 48A

مقاومت Drain-Source در حالت روشن: حداکثر 0.19Ω

شرایط اندازه‌گیری RDS(on): VGS=10V و ID=6.2A

ولتاژ Gate-Source: ±20V

ولتاژ آستانه Gate-Source: 2V تا 5V

شارژ کل گیت: حداکثر 92.8nC

ظرفیت ورودی Ciss: حداکثر 3312pF

ظرفیت خروجی Coss: 60pF

ظرفیت انتقال معکوس Crss: 5pF

زمان تأخیر روشن شدن: 17ns

زمان افزایش: 19ns

زمان تأخیر خاموش شدن: 57ns

زمان کاهش: 16ns

انرژی بهمن تک‌پالس: 300mJ

توان تلفاتی در TC=25°C: 34.7W

توان تلفاتی در TA=25°C: 1.92W

مقاومت حرارتی اتصال به کیس: 3.6°C/W

مقاومت حرارتی اتصال به محیط: 65°C/W

دمای کاری پیوند: -55°C تا 150°C

پکیج: TO-220CFM

نوع نصب: Through Hole

تعداد پایه: 3

شرایط تست RDS(on): VGS=10V

کاربردهای رایج

65SL190D برای مدارهای قدرت و سوئیچینگ ولتاژ بالا طراحی شده است و ترکیب تحمل ولتاژ 650V، جریان 20A و مقاومت روشنایی 0.19Ω آن، استفاده از این قطعه را در مبدل‌ها و تجهیزات الکترونیک قدرت امکان‌پذیر می‌کند. انتخاب نهایی ماسفت باید بر اساس ولتاژ باس، جریان واقعی، فرکانس سوئیچینگ، شرایط حرارتی و مشخصات درایور گیت انجام شود.

منابع تغذیه سوئیچینگ

مبدل‌های DC-DC

مبدل‌های AC-DC

مدارهای PFC

تجهیزات الکترونیک قدرت

اینورترهای توان

مدارهای سوئیچینگ ولتاژ بالا

منابع تغذیه تجهیزات الکترونیکی

مدارهای کنترل توان

تجهیزات صنعتی با ورودی ولتاژ بالا

کلمات کلیدی: 65SL190D MOSFET, XP65SL190DI, XP65SL190D, 65SL190D transistor, AP65SL190DI, 65SLI90D, 65SL19OD, N Channel 650V MOSFET, 20A 650V MOSFET, 190mOhm MOSFET, Full Pack MOSFET, TO220CFM MOSFET, ماسفت 650 ولت, ماسفت 20 آمپر, ترانزیستور قدرت 650V, ماسفت منابع تغذیه, ماسفت سوئیچینگ, YAGEO XSEMI MOSFET