ماسفت قدرت N-Channel مدل TK25A60X پکیج TO-220

TK25A60X از خانواده DTMOS IV-H شرکت Toshiba بوده و برای مدارهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا توسعه یافته است. این قطعه با تحمل ولتاژ Drain-Source برابر 600V، جریان پیوسته 25A و مقاومت روشن حداکثر 125mΩ در ولتاژ گیت 10V، تلفات هدایتی را کاهش داده و بازده مدار را افزایش می‌دهد. ظرفیت ورودی مناسب، بار گیت نسبتاً پایین و مشخصات بازیابی معکوس آن باعث شده در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدل‌های AC-DC و DC-DC، اینورترها و تجهیزات صنعتی عملکرد قابل اعتمادی داشته باشد. این ماسفت به صورت Through Hole و در پکیج 3 پایه TO-220SIS عرضه می‌شود که از نظر ابعاد با خانواده TO-220-3 سازگار است و نصب آن روی هیت‌سینک را آسان می‌کند.

مشخصات

نوع قطعه: Power MOSFET N-Channel

ولتاژ Drain-Source (VDS): 600V

جریان پیوسته Drain (ID): 25A

توان تلفاتی (PD): 45W

حداکثر مقاومت روشن RDS(on): 125mΩ @ VGS = 10V

ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 2.5V تا 3.5V

بار کل گیت (Qg): 40nC (Typical)

ظرفیت ورودی (Ciss): 2400pF (Typical)

زمان بازیابی معکوس (trr): 400ns (Typical)

بار بازیابی معکوس (Qrr): 3300nC (Typical)

نوع نصب: Through Hole

پکیج: TO-220-3 (TO-220SIS)

ابعاد: 10.0 × 15.0 × 4.5mm

فرکانس کاری: توسط سازنده مشخص نشده و به طراحی مدار وابسته است.

جریان مصرفی: ندارد (این قطعه یک عنصر سوئیچینگ است و مشخصه «جریان مصرفی» برای آن تعریف نمی‌شود).

کاربردهای رایج

این ماسفت برای طراحی مدارهای قدرت با ولتاژ بالا و راندمان مناسب استفاده می‌شود و در تجهیزات صنعتی، منابع تغذیه و مبدل‌های انرژی کاربرد گسترده‌ای دارد. مشخصات الکتریکی آن باعث شده گزینه مناسبی برای مدارهایی باشد که نیاز به تحمل ولتاژ بالا، تلفات کم و قابلیت اطمینان مناسب دارند.

منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

منابع تغذیه UPS

مبدل‌های AC-DC

مبدل‌های DC-DC

اینورترهای صنعتی

درایور موتور

مدارهای PFC

تجهیزات مخابراتی

تجهیزات اتوماسیون صنعتی

تجهیزات الکترونیک قدرت

کلمات کلیدی

کلمات کلیدی: TK25A60X, Toshiba MOSFET, 600V MOSFET, 25A MOSFET, DTMOS IV-H, TO-220SIS, TO-220-3, High Voltage MOSFET, Power MOSFET, Switching MOSFET, UPS MOSFET, SMPS MOSFET, N Channel MOSFET, TK25A60X Toshiba, Toshiba Power Transistor